Вход в систему

Детальная информация

	Карточка	Таблица	RUSMARC

Описание изобретений (ретрофонд) / Комитет по патентам и товарным знакам России. — М., 1994-____. — (Патенты России).
Способ измерения параметров области полупроводникового слоя / Смирнов В. И., Панасюк В. Н.,Овчаренко Е. Н., Гулидов Д. Н. — 1 файл: 247 Кб: ил. — Загл. с титул. экрана. — Поисковая система: ИПС MIMOSA GTI. — Систем. требования: Acrobat Reader. — Режим доступа: ftp://smolensklib.ru/bd/patent_ru/pt1068847.pdf. — <URL:ftp://smolensklib.ru/bd/patent_ru/pt1068847.pdf>.

Дата создания записи: 28.07.2024

Тематика: Измерительная техника — Электрические свойства — Полупроводниковые приборы

Коллекции: Патенты России

Разрешенные действия: –

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие «Прочитать» доступно только читателям библиотеки. Для авторизации используйте идентификатор и пароль читателя, полученные при записи в ГБУК "Смоленская областная универсальная научная библиотека имени А. Т. Твардовского". Для удалённой регистрации, необходимо на адрес smolreg2021@mail.ru отправить письмо со следующей информацией: ФИО, год рождения, образование, род деятельности, город проживания.

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Изобретение относится к измерению электрофизических параметров полупроводников и может найти применение в промышленности для контроля электрофизических параметров полупроводниковых пластин, используемых при изготовлении микросхем и полупроводниковых приборов. Наиболее эффективно изобретение может быть использовано для контроля слоев, изолированных от подложки полупроводниковой структуры, например эпитаксиальных слоев.

Права на использование объекта хранения

	Место доступа		Группа пользователей		Действие
	Локальная сеть СОУНБ		Все
	Интернет		Читатели

Статистика использования

Количество обращений: 0
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика