SOUNB
Electronic Library

Details

	Card	Table	RUSMARC

Описание изобретений (ретрофонд) / Комитет по патентам и товарным знакам России. — М., 1994-____. — (Патенты России).
Способ измерения параметров области полупроводникового слоя / Смирнов В. И., Панасюк В. Н.,Овчаренко Е. Н., Гулидов Д. Н. — 1 файл: 247 Кб: ил. — Загл. с титул. экрана. — Поисковая система: ИПС MIMOSA GTI. — Систем. требования: Acrobat Reader. — Режим доступа: ftp://smolensklib.ru/bd/patent_ru/pt1068847.pdf. — <URL:ftp://smolensklib.ru/bd/patent_ru/pt1068847.pdf>.

Record create date: 7/28/2024

Subject: Измерительная техника — Электрические свойства — Полупроводниковые приборы

Collections: Патенты России

Allowed Actions: –

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Действие «Прочитать» доступно только читателям библиотеки. Для авторизации используйте идентификатор и пароль читателя, полученные при записи в ГБУК "Смоленская областная универсальная научная библиотека имени А. Т. Твардовского". Для удалённой регистрации, необходимо на адрес smolreg2021@mail.ru отправить письмо со следующей информацией: ФИО, год рождения, образование, род деятельности, город проживания.

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Изобретение относится к измерению электрофизических параметров полупроводников и может найти применение в промышленности для контроля электрофизических параметров полупроводниковых пластин, используемых при изготовлении микросхем и полупроводниковых приборов. Наиболее эффективно изобретение может быть использовано для контроля слоев, изолированных от подложки полупроводниковой структуры, например эпитаксиальных слоев.

Document access rights

	Network		User group		Action
	SOUNB Local Network		All
	Internet		Readers

Usage statistics

Access count: 0
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics