Card | Table | RUSMARC | |
Способ определения структурных, характеристик монокристаллов / Афанасьев А.М., Бугров Д.А., Имамов Р.М. [и др.]; заявитель: Специальное конструкторское бюро Института кристаллографии им. А.В.Шубникова // Описания изобретений (ретрофонд) / Комитет по патентам и товарным знакам России. – М., 2003. – 1985, № 1 — 1 файл: 290 Кб: ил. — (Патенты России). — Загл. с титул. экрана. — Поисковая система: MIMOSA GTI. — Систем. требования: Acrobat Reader. — Режим доступа: ftp://smolensklib.ru/bd/patent_ru/pt1133518.pdf. — <URL:ftp://smolensklib.ru/bd/patent_ru/pt1133519.pdf>.Record create date: 10/2/2022 Subject: Рентгеноструктурному анализ монокристаллов — Контроля совершенства полупроводников Collections: Патенты России Allowed Actions: –
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Действие «Прочитать» доступно только читателям библиотеки. Для авторизации используйте идентификатор и пароль читателя, полученные при записи в ГБУК "Смоленская областная универсальная научная библиотека имени А. Т. Твардовского". Для удалённой регистрации, необходимо на адрес smolreg2021@mail.ru отправить письмо со следующей информацией: ФИО, год рождения, образование, род деятельности, город проживания.
Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
Изобретение относится к рентгеноструктурному анализу монокристаллов с нарушенными поверхностными слоями и может использоваться в технологии полупроводниковых приборов для контроля совершенства полупроводников при различных технологических обработках поверхности (диффузия., ионная, имплантация и др.).
Document access rights
Network | User group | Action | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
SOUNB Local Network | All |
![]() |
||||
Internet | Readers |
![]() |
Usage statistics
|
Access count: 0
Last 30 days: 0 Detailed usage statistics |